InterPrint V3 - Новая модель,...
Транзистор является одним из самых распространенных элемнтов в современной радиоэлектронике. Транзисторы позволяет управлять большими токами посредством маленьких.
AOD2916 использует траншейную технологию MOSFET, которая уникально оптимизирована для обеспечения наиболее эффективной высокочастотной коммутации. Как проводимость, так и коммутационные потери мощности минимизируются благодаря чрезвычайно низкой комбинации RDS(ON), Ciss и Coss.
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
КТ818Б (BD302), Транзистор PNP 50В 10А 60Вт 3Мгц TO220
Комплементарная пара — пара транзисторов, сходных (или приблизительно сходных) по абсолютным значениям параметров, но имеющих разные типы проводимостей. Чаще всего комплементарные пары применяются в усилительных каскадах различного назначения для усиления противоположных полупериодов напряжения (например в оконечных каскадах УМЗЧ), а также в различных...