Гильза соединительная предназначена...
Транзистор является одним из самых распространенных элемнтов в современной радиоэлектронике. Транзисторы позволяет управлять большими токами посредством маленьких.
Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
FZT951 PNP, 60 В, 120 МГц, 3 Вт, -5 А, 200 hFE. TO236
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
TIP110 — это кремниевый NPN-транзистор Дарлингтона средней мощности, выпускаемый в корпусе TO-220AB. Главная особенность: очень большой коэффициент усиления по току hFE > 1000 благодаря конфигурации Дарлингтона (два транзистора в одном кристалле).
Транзисторы серии KTC3200 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор KTC3200BL имеет коэффициент усиления - в диапазоне от 200 до 700.
Транзистор - радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный небольшим входным сигналом управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов.
IRF530N - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
FQD30N06 - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
2SC2073 Биполярный транзистор NPN, 150 В, -1.5 А, 25 Вт, TO-220