Монопод для селфи для смартфона. С...
Транзистор является одним из самых распространенных элемнтов в современной радиоэлектронике. Транзисторы позволяет управлять большими токами посредством маленьких.
Пара комплементарная NJW0281G+NJW0302G для выходных каскадов УНЧ
IRFP064N - Мощный N-канальный MOSFET транзистор 55В,
AO4710 использует передовую траншейную технологию с монолитно интегрированным диодом Шоттки для обеспечения превосходного RDS(ON) и низкого заряда затвора. Это устройство подходит для использования в качестве полевого транзистора в SMPS, коммутации нагрузки и применении в общем назначении.
FGA20N120 - биполярный транзистор с изолированным затвором
FGH60N60SFD - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
2SC5200, мощный биполярный транзистор. В основном применяются в усилителях мощности.