Наличие 3D принтера открывает двери...
Транзистор является одним из самых распространенных элемнтов в современной радиоэлектронике. Транзисторы позволяет управлять большими токами посредством маленьких.
IRFP064N - Мощный N-канальный MOSFET транзистор 55В,
AO4710 использует передовую траншейную технологию с монолитно интегрированным диодом Шоттки для обеспечения превосходного RDS(ON) и низкого заряда затвора. Это устройство подходит для использования в качестве полевого транзистора в SMPS, коммутации нагрузки и применении в общем назначении.
FGA20N120 - биполярный транзистор с изолированным затвором
FGH60N60SFD - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
Полевыми транзисторами называют активные полупроводниковые приборы, в которых выходным током управляют с помощью электрического поля (в биполярных транзисторах выходной ток управляется входным током). Полевые транзисторы называют также униполярными, так как в процессе протекания электрического тока участвует только один вид носителей.