Алматыда жоқ-жоқ.
Астанада жоқ-жоқ.
Но Radiomart — не пропал.
Друзья, филиал Radiomart в Алматы уже закрыт, а филиал в Астане завершит работу 25 июня.
Спасибо всем, кто был с нами в этих городах: приходил за техникой, советом, сервисом и просто хорошим настроением.
Мы не прощаемся — Radiomart остаётся на связи онлайн и в Караганде.
Все актуальные товары, консультации и поддержка доступны на нашем сайте.
Транзистор является одним из самых распространенных элемнтов в современной радиоэлектронике. Транзисторы позволяет управлять большими токами посредством маленьких.
RJH60F5DPQ - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
2SC3306 — это кремниевый NPN-биполярный транзистор, разработанный в основном для использования в усилителях и других аналоговых схемах. Используется в аудиотехнике и бытовой электронике, особенно в усилителях низкой частоты.
MOSFET Транзистор IRFP150 (41А 100V), N- канал, в корпусе TO-247
KHB7D0N65F1 - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
GT30F124 - Силовой IGBT транзистор, N-Канал, 300V, 30A, TO-220FP
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
GT30J324 - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
Транзистор — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов.