Добавлено в корзину
В вашей корзине 0 товара (ов). В вашей корзине 1 товар.
Транзисторы
- 3D Принтеры и материалы
- Датчики
- Двигатели
- Игрушки
- Инструменты и материалы
- Измерительные приборы
- Изоляторы
- Инструменты
- Клапаны
- Клеящие материалы
- Корпуса и крепления
- Магниты
- Макетные и монтажные платы
- Маркеры
- Оборудование для пайки
- Органайзеры, ящики
- Провода для макетных плат
- Радиаторы
- Расходные материалы
- Создание печатных плат
- Тросы и канаты
- Углеволокно
- Фрезы и сверла
- Фурнитура для сувениров
- Шланги
- Книги
- Механика
- Модули для 3D принтеров
- Обучающие наборы
- Осветители и индикаторы
- Отладочные платы
- Пневматика
- Поля для соревнований
- Провода, разъемы и адаптеры
- Прочая электроника и аксессуары
- Радиоуправляемые модели
- Реле, контакторы
- Советские радиодетали
- Сувенирная продукция
- Услуги
- ЧПУ станки
- Электрика
- Электронные блоки и узлы
- Электронные компоненты
- Элементы питания
650 тг2SD1913, Биполярный NPN транзистор 60В 3А,...
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
650 тгВ наличии
280 тгIRF1010E MOSFET
IRF1010E - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
280 тгВ наличии
1 150 тг
120 тг
830 тгYMP230N55 MOSFET
YMP230N55 - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
830 тгВ наличии![IRFP4110 Транзистор,100В 180А [TO-247AC]](https://media1.radiomart.kz/8130-product_list/irfp4110-tranzistor100v-180a-to-247ac-.jpg "IRFP4110 Транзистор,100В 180А [TO-247AC]")
1 600 тгIRFP4110 Транзистор,100В 180А [TO-247AC]
IRFP4110 Транзистор, N-канал 100В 180А [TO-247AC]
1 600 тгВ наличии
1 900 тгFGL40N120AND, Транзистор IGBT, 1200В, 64А,...
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
1 900 тгВ наличии
1 705 тгRJH60F5DPQ Транзистор
RJH60F5DPQ - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
1 705 тгВ наличии
920 тгKHB7D0N65F1 MOSFET
KHB7D0N65F1 - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
920 тгВ наличии
400 тгBTS113A Полевой транзистор, N канал, 60В,...
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
400 тгВ наличии
1 010 тгGT30J341, Биполярный транзистор IGBT,...
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
1 010 тгВ наличии
650 тгIRFP150, MOSFET Транзистор (41А 100V)
MOSFET Транзистор IRFP150 (41А 100V), N- канал, в корпусе TO-247
650 тгВ наличии