> Электронные компоненты>Транзисторы

Транзисторы

Скидки

на странице
Показ 217 - 228 из 455 товаров
  • 750 тг

    IRFP064N - Мощный N-канальный MOSFET транзистор 55В, 

    750 тг
    В корзину
    В наличии
  • 320 тг

    Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.

    320 тг
    В корзину
    В наличии
  • 530 тг

    Транзистор — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. 

    530 тг
    В корзину
    В наличии
  • 500 тг
    1 Review(s)

    2SA1746 - Биполярный транзистор с PNP переходом

    500 тг
    В корзину
    В наличии
  • 240 тг

    Биполярный высокочастотный pnp транзистор BCW69

    240 тг
    В корзину
    В наличии
  • 560 тг

    IRFR2905 Транзистор MOSFET N - канал 500В 11А DPAK

    560 тг
    В корзину
    В наличии
  • 670 тг

    M3054M, N канальный MOSFET (BVDSS - 30V; RDSON - 4.2 mΩ; ID - 97A)

    670 тг
    В корзину
    В наличии
  • 730 тг

    UF460L MOSFET транзистор, 500В, 21А, TO-247

    730 тг
    В корзину
    В наличии
  • 1 645 тг

    FGH40T100SMD IGBT ON (FS) предлагает оптимальную производительность с низкими потерями на проводимость и переключение. Эти IGBT обладают высокой работоспособностью, а так же положительным температурным коэффициентом, узким распределением параметров и широкой безопасной рабочей областью.

    1 645 тг
    В корзину
    В наличии
  • 170 тг

    Биполярный силовой транзистор предназначен для применения в усилителях общего назначения и коммутации на низких скоростях. MJD42C это биполярный силовой транзистор 6A, 100V PNP типа.

    170 тг
    В корзину
    В наличии
  • 280 тг

    IRF1010E - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

    280 тг
    В корзину
    В наличии
  • 1 000 тг

    G40N60UFD, SGH40N60UFD - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

    1 000 тг
    В корзину
    В наличии
Показ 217 - 228 из 455 товаров