Уважаемые покупатели!
С 1 января 2026 года филиал в г. Алматы закрывается.
Важная информация:
С 20 декабря самовывоз для новых заказов из офиса в Алматы будет недоступен. Оформить заказ с доставкой до двери можно на сайте.
Готовые заказы просим забрать до 25 декабря.
Приносим извинения за доставленные неудобства.
TLP521-4 - Оптопара или оптрон —...
Транзистор является одним из самых распространенных элемнтов в современной радиоэлектронике. Транзисторы позволяет управлять большими токами посредством маленьких.
IGBT Транзистор GT30G122, N канала в корпусе TO220, 30A 400V
FGH40T100SMD IGBT ON (FS) предлагает оптимальную производительность с низкими потерями на проводимость и переключение. Эти IGBT обладают высокой работоспособностью, а так же положительным температурным коэффициентом, узким распределением параметров и широкой безопасной рабочей областью.
HYG013N03LS1C2 — это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, предназначенный для работы в низковольтных приложениях с высокими токами.
VND14NV04-E, Интеллектуальный силовой ключ с защитой [TO-252 (DPAK)]
IRFP064N - Мощный N-канальный MOSFET транзистор 55В,
AO4710 использует передовую траншейную технологию с монолитно интегрированным диодом Шоттки для обеспечения превосходного RDS(ON) и низкого заряда затвора. Это устройство подходит для использования в качестве полевого транзистора в SMPS, коммутации нагрузки и применении в общем назначении.
FGA20N120 - биполярный транзистор с изолированным затвором
FGH60N60SFD - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.