Транзистор является одним из самых распространенных элемнтов в современной радиоэлектронике. Транзисторы позволяет управлять большими токами посредством маленьких.
IRFB4110PBF транзистор MOSFET N-канал, 100В, 180А, TO-220AB
GT30F124 - Силовой IGBT транзистор, N-Канал, 300V, 30A, TO-220FP
Мощный N-канальный MOSFET STP70NS04ZC от STMicroelectronics. Работает при напряжении до 33 В, выдерживает ток 80 А и обладает сверхнизким сопротивлением канала (8 мΩ тип.). Используется в автомобильных системах, включая ABS-модули, драйверы соленоидов, мотор-контроллеры и DC-DC преобразователи. Корпус TO-220.
GT30J324 - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
Транзистор — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов.
RJH60F7DPQ - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
K2313, Транзистор, N-канал, высокоскоростной, импульсные регуляторы напряжения [TO-3P]
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).