Наличие 3D принтера открывает двери...
Транзистор является одним из самых распространенных элемнтов в современной радиоэлектронике. Транзисторы позволяет управлять большими токами посредством маленьких.
IRFP4110 Транзистор, N-канал 100В 180А [TO-247AC]
ISL9V3040S3S – предназначен для высокоскоростных импульсных приложений, таких как сварочные инверторы, преобразователи и моторные драйверы.
RJH60F5DPQ - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
KHB7D0N65F1 - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
IRFB4110PBF транзистор MOSFET N-канал, 100В, 180А, TO-220AB
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
MOSFET Транзистор IRFP150 (41А 100V), N- канал, в корпусе TO-247
Полевой транзистор FQP4N90C, N-канала в корпусе ТО-220, 900В, 4А,
TIP122 Биполярный транзистор NPN. 100V. 5A. TO220
GT30F124 - Силовой IGBT транзистор, N-Канал, 300V, 30A, TO-220FP