Добавлено в корзину
В вашей корзине 0 товара (ов). В вашей корзине 1 товар.
Транзисторы
- 3D Принтеры и материалы
- Датчики
- Двигатели
- Игрушки
- Инструменты и материалы
- Измерительные приборы
- Изоляторы
- Инструменты
- Клапаны
- Клеящие материалы
- Корпуса и крепления
- Магниты
- Макетные и монтажные платы
- Маркеры
- Оборудование для пайки
- Органайзеры, ящики
- Провода для макетных плат
- Радиаторы
- Расходные материалы
- Создание печатных плат
- Тросы и канаты
- Углеволокно
- Фрезы и сверла
- Фурнитура для сувениров
- Шланги
- Книги
- Механика
- Модули для 3D принтеров
- Обучающие наборы
- Осветители и индикаторы
- Отладочные платы
- Пневматика
- Поля для соревнований
- Провода, разъемы и адаптеры
- Прочая электроника и аксессуары
- Радиоуправляемые модели
- Реле, контакторы
- Советские радиодетали
- Сувенирная продукция
- Услуги
- ЧПУ станки
- Электрика
- Электронные блоки и узлы
- Электронные компоненты
- Элементы питания
-
MBR20200CTG, Диод Шоттки , 2х10А, 200В, общий катод, TO-220
MBR20200CTG — это мощный...
247 тг -5% 260 тг
250 тгFQP4N90C, Транзистор, N-канал 900В 4А
Полевой транзистор FQP4N90C, N-канала в корпусе ТО-220, 900В, 4А,
250 тгВ наличии
900 тгIRFB4110PBF транзистор MOSFET TO-220AB
IRFB4110PBF транзистор MOSFET N-канал, 100В, 180А, TO-220AB
900 тгВ наличии
230 тгGT30F124 IGBT транзистор. 300V, 30A, TO-220FP
GT30F124 - Силовой IGBT транзистор, N-Канал, 300V, 30A, TO-220FP
230 тгВ наличии
550 тгISL9V3040S3S, IGBT-Транзистор, N-канал,...
ISL9V3040S3S – предназначен для высокоскоростных импульсных приложений, таких как сварочные инверторы, преобразователи и моторные драйверы.
550 тгВ наличии
900 тгGT30J324 Транзистор
GT30J324 - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
900 тгВ наличии
1 205 тг
520 тг
100 тгAO4468 Полевой транзистор, N-канал
AO4468 сочетает в себе передовую траншейную технологию MOSFET с пакетом с низким сопротивлением для обеспечения чрезвычайно низкого RDS (ON). Это устройство идеально подходит для переключения нагрузки и защиты аккумулятора. AO4468 - мощный n-канальный полевой транзистор сделанный по технологии MOSFET (КМОП).
100 тгВ наличии
180 тгKТ973А, Транзистор Дарлингтона, PNP, 60В,...
Транзистор — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов.
180 тгВ наличии
250 тгAO4600, Транзистор N-канал/P-канал
AO4600, Транзистор N-канал/P-канал, 30В, 6.9/5А, 2Вт, 0.027/0.049Ом [SO-8]
250 тгВ наличии
1 285 тг
2 850 тгRJH60F7DPQ Транзистор
RJH60F7DPQ - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
2 850 тгВ наличии