Алматыда жоқ-жоқ.
Астанада жоқ-жоқ.
Но Radiomart — не пропал.
Друзья, филиал Radiomart в Алматы уже закрыт, а филиал в Астане завершит работу 25 июня.
Спасибо всем, кто был с нами в этих городах: приходил за техникой, советом, сервисом и просто хорошим настроением.
Мы не прощаемся — Radiomart остаётся на связи онлайн и в Караганде.
Все актуальные товары, консультации и поддержка доступны на нашем сайте.
Батарейный отсек представляет собой...
Транзистор является одним из самых распространенных элемнтов в современной радиоэлектронике. Транзисторы позволяет управлять большими токами посредством маленьких.
2SA1837, Транзистор PNP 230В 1А [TO220FP]
IRFB4710 Транзистор MOSFET, N-канал, 75 А, 100 V
Транзистор FQA38N30 - в корпусе TO3P MOSFET 290 ВТ, 38,4А, 300В (Б/У)
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
Полевой транзистор FQP4N90C, N-канала в корпусе ТО-220, 900В, 4А,
BU931T Биполярный транзистор NPN 500 V 10 A TO220
AO4468 сочетает в себе передовую траншейную технологию MOSFET с пакетом с низким сопротивлением для обеспечения чрезвычайно низкого RDS (ON). Это устройство идеально подходит для переключения нагрузки и защиты аккумулятора. AO4468 - мощный n-канальный полевой транзистор сделанный по технологии MOSFET (КМОП).
Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.