Друзья, филиал в г. Астане закрыт с 25 июня 2026г.
Доставка работает во все города.
Самовывоз можно забрать только из г. Караганды.
Транзистор является одним из самых распространенных элемнтов в современной радиоэлектронике. Транзисторы позволяет управлять большими токами посредством маленьких.
BU931T Биполярный транзистор NPN 500 V 10 A TO220
Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
IRF3415 - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
Транзистор 11N120CND - IGBT, 1200В, 43А, 298Вт в корпусе TO-247
Полевой транзистор FQP4N90C, N-канала в корпусе ТО-220, 900В, 4А,
60t03h Транзистор MOSFET N-Канал 30В, 45A, TO-252
Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.
Биполярный транзистор - трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов. В полупроводниковой структуре сформированы два p-n-перехода, перенос заряда через которые осуществляется носителями двух полярностей - электронами и дырками.