Фильтр
Загрузка ...
IRF3415 - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
AO4468 сочетает в себе передовую траншейную технологию MOSFET с пакетом с низким сопротивлением для обеспечения чрезвычайно низкого RDS (ON). Это устройство идеально подходит для переключения нагрузки и защиты аккумулятора. AO4468 - мощный n-канальный полевой транзистор сделанный по технологии MOSFET (КМОП).
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
IRFB4710 Транзистор MOSFET, N-канал, 75 А, 100 V
Транзистор FQA38N30 - в корпусе TO3P MOSFET 290 ВТ, 38,4А, 300В (Б/У)
Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
IRFP360 — силовой полевой транзистор с изолированным затвором и n-каналом выпускается в прочном корпусе TO-247AC
Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.
Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).