Уважаемые клиенты, поздравляем вас с предстоящим праздником Курбан-айт!
Сообщаем вам, что 6 и 7 июня все наши офисы будут закрыты.
Приносим свои извинения за возможные неудобства.
Фильтр
Загрузка ...
Занимательные опыты вызовут у...
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
IRF3415 - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
FMH23N50E, Транзистор, N-канал 500В 23А 0.245Ом [TO-3P]
IRFB4710 Транзистор MOSFET, N-канал, 75 А, 100 V
Транзистор FQA38N30 - в корпусе TO3P MOSFET 290 ВТ, 38,4А, 300В (Б/У)
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.
Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).