Уважаемые клиенты, поздравляем Вас с предстоящим праздником и сообщаем, что 30, 31 августа и 1 сентября, интернет-магазин и все офисы работать не будут.
Желаем хорошо отдохнуть и приносим извинения за возможные неудобства.
Фильтр
Загрузка ...
Прочные пластиковые колеса с шинами...
STW18NK80Z - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
IRFP4368PBF, Транзистор, N-канал 75В 350А [TO-247AC]
2SK215, Полевой транзистор, N-канальный, 180 В, 0.5 А, 30 Вт (комплементарная пара 2SJ78)
2SK2499 MOSFET. N-канал, 60 V, 50 A, MP25 (TO-220)
IRLS3036-7P MOSFET, N-канал, 60 V, 16 V, 300 A, D2PAK
Пара комплементарная 2SK1529+2SJ200
Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
IRFP360 — силовой полевой транзистор с изолированным затвором и n-каналом выпускается в прочном корпусе TO-247AC
Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.