Уважаемые клиенты, сообщаем Вам, что 19 апреля филиал в городе Астана будет работать со сбоями, в связи с отключением электроэнергии.
Приносим свои извинения за возможные неудобства.
Фильтр
Загрузка ...
Сборная рама для квадрокоптера,...
PSMN7R0-60YS представляет собой N-канальный MOSFET стандартного уровня с передовой технологией TrenchMOS, обеспечивающей низкое RDS (ON) и низкий заряд затвора. Он спроектирован и пригоден для использования в широком диапазоне преобразователей постоянного тока, защиты литий-ионных аккумуляторов, коммутации нагрузки, источников питания сервера и бытового...
Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.
IRFP360 — силовой полевой транзистор с изолированным затвором и n-каналом выпускается в прочном корпусе TO-247AC
IRFP4368PBF, Транзистор, N-канал 75В 350А [TO-247AC]
Р-канальный МОП-транзистор 2SJ653 обладает следующими особенностями: Низкое сопротивление.Сверхбыстрая скорость переключения
2SJ78, Полевой транзистор, P-канальный, 180 В, 0.5 А, 30 Вт (комплементарная пара 2SK215)
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
M3056M, N канальный MOSFET (BVDSS - 30V; RDSON - 4.2 mΩ; ID - 103A)