Уважаемые покупатели!
С 1 января 2026 года филиал в г. Алматы закрывается.
Важная информация:
С 20 декабря самовывоз для новых заказов из офиса в Алматы будет недоступен. Оформить заказ с доставкой до двери можно на сайте.
Готовые заказы просим забрать до 25 декабря.
Приносим извинения за доставленные неудобства.
MBR20200CTG — это мощный...
Транзистор является одним из самых распространенных элемнтов в современной радиоэлектронике. Транзисторы позволяет управлять большими токами посредством маленьких.
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
2SD2553 - мощный высоковольтный биполярный транзистор
SPW47N60C3, Транзистор, N-канал 600В 47А 70мОм [TO-247] SPW47N60C3 аналог 47N60C3
Изготовлено по технологии плоского базового острова с монолитной конфигурацией Дарлингтона.
K30H603 (=IKW30N60H3) Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT - полностью управляемый полупроводниковый прибор, в основе которого трёхслойная структура. Его включение и выключение осуществляются подачей и снятием положительного напряжения между затвором и истоком
AO4496 использует передовую траншейную технологию для обеспечения превосходного RDS(ON) с низким зарядом затвора. Это устройство подходит для использования в качестве преобразователя постоянного тока. AO4496 - мощный n-канальный полевой транзистор сделанный по технологии MOSFET (КМОП).
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).