Добавлено в корзину
В вашей корзине 0 товара (ов). В вашей корзине 1 товар.
Транзисторы
- 3D Принтеры и материалы
- Датчики
- Двигатели
- Игрушки
- Инструменты и материалы
- Измерительные приборы
- Изоляторы
- Инструменты
- Клапаны
- Клеящие материалы
- Корпуса и крепления
- Магниты
- Макетные и монтажные платы
- Маркеры
- Оборудование для пайки
- Органайзеры, ящики
- Провода для макетных плат
- Радиаторы
- Расходные материалы
- Создание печатных плат
- Тросы и канаты
- Углеволокно
- Фрезы и сверла
- Фурнитура для сувениров
- Шланги
- Книги
- Механика
- Модули для 3D принтеров
- Обучающие наборы
- Осветители и индикаторы
- Отладочные платы
- Пневматика
- Поля для соревнований
- Провода, разъемы и адаптеры
- Прочая электроника и аксессуары
- Радиоуправляемые модели
- Реле, контакторы
- Советские радиодетали
- Сувенирная продукция
- Услуги
- ЧПУ станки
- Электрика
- Электронные блоки и узлы
- Электронные компоненты
- Элементы питания
560 тг
2 195 тгFGH40N60SMD, IGBT 600В 80А
FGH40N60SMD - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
2 195 тгВ наличии
1 705 тгRJH60F5DPQ Транзистор
RJH60F5DPQ - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
1 705 тгВ наличии
850 тг11N120CND, Транзистор TO-247
Транзистор 11N120CND - IGBT, 1200В, 43А, 298Вт в корпусе TO-247
850 тгВ наличии
30 тг
420 тгВосстановлен60t03h Транзистор MOSFET 30В, 45A, TO-252
(Отреставрирован)60t03h Транзистор MOSFET N-Канал 30В, 45A, TO-252
420 тгВ наличии
4 200 тгFGL40N120AN IGBT транзистор, 1200V, TO-264
Используя технологию NPT, IGBT транзистор ON Semiconductor обеспечивает низкие потери проводимости и переключения. Серия AN предлагает решение для использования в области управления двигателем, преобразований общего назначения и для источников бесперебойного питания (ИБП).
4 200 тгВ наличии
1 060 тгNCE85H21TC, Транзистор полевой N-канальный...
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
1 060 тгВ наличии
430 тгFQP85N06 MOSFET
Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
430 тгВ наличии
35 тг
290 тг
20 тгS8050 J3Y Транзистор NPN 40В, 0.5А
S8050 J3Y, Транзистор NPN 450, 0.5А, 0.3Вт, [SOT23]
20 тгВ наличии