Транзистор является одним из самых распространенных элемнтов в современной радиоэлектронике. Транзисторы позволяет управлять большими токами посредством маленьких.
IRFP9240 - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
AO4600, Транзистор N-канал/P-канал, 30В, 6.9/5А, 2Вт, 0.027/0.049Ом [SO-8]
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
ISL9V3040S3S – предназначен для высокоскоростных импульсных приложений, таких как сварочные инверторы, преобразователи и моторные драйверы.
IRFP240 - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
STW18NK80Z - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
IRFP4368PBF, Транзистор, N-канал 75В 350А [TO-247AC]
2SK215, Полевой транзистор, N-канальный, 180 В, 0.5 А, 30 Вт (комплементарная пара 2SJ78)
2SK2499 MOSFET. N-канал, 60 V, 50 A, MP25 (TO-220)
Пара комплементарная 2SK1529+2SJ200