Добавлено в корзину
В вашей корзине 0 товара (ов). В вашей корзине 1 товар.
Транзисторы
- 3D Принтеры и материалы
- Датчики
- Двигатели
- Игрушки
- Инструменты и материалы
- Измерительные приборы
- Изоляторы
- Инструменты
- Клапаны
- Клеящие материалы
- Корпуса и крепления
- Магниты
- Макетные и монтажные платы
- Маркеры
- Оборудование для пайки
- Органайзеры, ящики
- Провода для макетных плат
- Радиаторы
- Расходные материалы
- Создание печатных плат
- Тросы и канаты
- Углеволокно
- Фрезы и сверла
- Фурнитура для сувениров
- Шланги
- Книги
- Механика
- Модули для 3D принтеров
- Обучающие наборы
- Осветители и индикаторы
- Отладочные платы
- Пневматика
- Поля для соревнований
- Провода, разъемы и адаптеры
- Прочая электроника и аксессуары
- Радиоуправляемые модели
- Реле, контакторы
- Советские радиодетали
- Сувенирная продукция
- Услуги
- ЧПУ станки
- Электрика
- Электронные блоки и узлы
- Электронные компоненты
- Элементы питания
-
Натуральный BFNylon пластик Bestfilament 0.5 кг (1,75 мм) для 3D-принтеров
Наличие 3D принтера открывает двери...
27 500 тг 28 700 тг
1 600 тгIGBT транзистор 60T65PES, 650V, 60A, TO-247
IGBT транзистор - это довольно хитроумный прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного.
1 600 тгВ наличии
150 тгD13007K, Транзистор биполярный, NPN, 8А,...
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
150 тгВ наличии
590 тг
1 100 тгNGTG50N60FL IGBT транзистор 100 А, 1.65 В...
NGTG50N60FL, БТИЗ транзистор, 100 А, 1.65 В, 223 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов) NGTG50N60FL - аналог NGTG50N60FLWG
1 100 тгВ наличии
1 555 тгBU931T Биполярный транзистор TO220
BU931T Биполярный транзистор NPN 500 V 10 A TO220
1 555 тгВ наличии
510 тгКТ818Г, Биполярный транзистор PNP, 90В,...
КТ818Г, Биполярный транзистор, PNP, 90В, 10А, 60Вт, 3МГц (КТ-28 / TO-220)
510 тгВ наличии
790 тгIRFB17N50L полевой транзистор, N
Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.
790 тгВ наличии
1 120 тгТранзистор IXTQ69N30P, МОП-структура,...
Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
1 120 тгВ наличии
850 тгIRFP9240 MOSFET
IRFP9240 - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
850 тгВ наличии
560 тг
540 тг
850 тг11N120CND, Транзистор TO-247
Транзистор 11N120CND - IGBT, 1200В, 43А, 298Вт в корпусе TO-247
850 тгВ наличии