Уважаемые покупатели!
С 1 января 2026 года филиал в г. Алматы закрывается.
Важная информация:
С 20 декабря самовывоз для новых заказов из офиса в Алматы будет недоступен. Оформить заказ с доставкой до двери можно на сайте.
Готовые заказы просим забрать до 25 декабря.
Приносим извинения за доставленные неудобства.
Транзистор является одним из самых распространенных элемнтов в современной радиоэлектронике. Транзисторы позволяет управлять большими токами посредством маленьких.
BU931T Биполярный транзистор NPN 500 V 10 A TO220
КТ818Г, Биполярный транзистор, PNP, 90В, 10А, 60Вт, 3МГц (КТ-28 / TO-220)
Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.
Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
FGH40N60SMD - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
Транзистор 11N120CND - IGBT, 1200В, 43А, 298Вт в корпусе TO-247
60t03h Транзистор MOSFET N-Канал 30В, 45A, TO-252
TPN22006NH — это N-канальный силовой MOSFET серии U-MOS VIII-H, предназначенный для применения в схемах переключения: DC-DC-преобразователей, драйверов двигателей и регуляторов питания.
IRFP9240 - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).