Друзья, филиал в г. Астане закрыт с 25 июня 2026г.
Доставка работает во все города.
Самовывоз можно забрать только из г. Караганды.
Транзистор является одним из самых распространенных элемнтов в современной радиоэлектронике. Транзисторы позволяет управлять большими токами посредством маленьких.
2SK215, Полевой транзистор, N-канальный, 180 В, 0.5 А, 30 Вт (комплементарная пара 2SJ78)
Пара комплементарная 2SK1529+2SJ200
Транзистор — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов.
Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
2SC5200, мощный биполярный транзистор. В основном применяются в усилителях мощности.
IRFP360 — силовой полевой транзистор с изолированным затвором и n-каналом выпускается в прочном корпусе TO-247AC
HGTP12N60A4D - IGBT транзистор. N- канал TO220AB
NGTG50N60FL, БТИЗ транзистор, 100 А, 1.65 В, 223 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов) NGTG50N60FL - аналог NGTG50N60FLWG
AO4468 сочетает в себе передовую траншейную технологию MOSFET с пакетом с низким сопротивлением для обеспечения чрезвычайно низкого RDS (ON). Это устройство идеально подходит для переключения нагрузки и защиты аккумулятора. AO4468 - мощный n-канальный полевой транзистор сделанный по технологии MOSFET (КМОП).