Наличие 3D принтера открывает двери...
Транзистор является одним из самых распространенных элемнтов в современной радиоэлектронике. Транзисторы позволяет управлять большими токами посредством маленьких.
60t03h Транзистор MOSFET N-Канал 30В, 45A, TO-252
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
2SC4793, Транзистор NPN 230 В 1 А [ 2-10R1A ]
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
STP80NF55-08 является N-канальным силовыми МОП-транзистором сквозного монтажа от компании STMicroelectronics в корпусе TO-220. Данные МОП-транзисторы изготовлены при помощи процесса Single Feature Size, в результате чего транзистор показывает очень высокую плотность при низком сопротивлении в активном состоянии, надежных лавинных характеристиках и менее...
IRFP240 - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
Р-канальный МОП-транзистор 2SJ653 обладает следующими особенностями: Низкое сопротивление.Сверхбыстрая скорость переключения
RJH60F5DPQ - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
STW18NK80Z - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).