Сборная рама для гексакоптера,...
Транзистор является одним из самых распространенных элемнтов в современной радиоэлектронике. Транзисторы позволяет управлять большими токами посредством маленьких.
IXFH26N60Q, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 26 А, 600 В, 250 мОм, 10 В, 4.5 В
IXFP20N50P3 транзистор, MOSFET N - канал, 500V, 20A, TO-220
NGTG50N60FL, БТИЗ транзистор, 100 А, 1.65 В, 223 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов) NGTG50N60FL - аналог NGTG50N60FLWG
IRFP240 - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
Р-канальный МОП-транзистор 2SJ653 обладает следующими особенностями: Низкое сопротивление.Сверхбыстрая скорость переключения
STW18NK80Z - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
КТ818В (BD796), Транзистор PNP 70В 10А 60Вт 3Мгц TO220
IRFP4368PBF, Транзистор, N-канал 75В 350А [TO-247AC]
FZT951 PNP, 60 В, 120 МГц, 3 Вт, -5 А, 200 hFE. TO236
STP60NF06FP Транзистор MOSFET, N-канал, 60V, 30A TO220FP