Наличие 3D принтера открывает двери...
Транзистор является одним из самых распространенных элемнтов в современной радиоэлектронике. Транзисторы позволяет управлять большими токами посредством маленьких.
2SK2499 MOSFET. N-канал, 60 V, 50 A, MP25 (TO-220)
Пара комплементарная 2SK1529+2SJ200
Данный биполярный транзистор MJD3055G предназначен для усилителей общего назначения и низкоскоростных коммутационных систем.
Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток). При определённой силе управляющего тока, как бы «открывается клапан» и ток с коллектора начинает течь на третий вывод (эмиттер).
IGBT Транзистор IRGP4086 (70A 300V), N- канала, в корпусе TO-247AC
KT814B (BD138), PNP, низкочастотный, большой мощности, TO-126 (КТ-27)
M3056M, N канальный MOSFET (BVDSS - 30V; RDSON - 4.2 mΩ; ID - 103A)