Транзистор является одним из самых распространенных элемнтов в современной радиоэлектронике. Транзисторы позволяет управлять большими токами посредством маленьких.
FZT951 PNP, 60 В, 120 МГц, 3 Вт, -5 А, 200 hFE. TO236
2SK2499 MOSFET. N-канал, 60 V, 50 A, MP25 (TO-220)
IRFB4110PBF транзистор MOSFET N-канал, 100В, 180А, TO-220AB
Пара комплементарная 2SK1529+2SJ200
IGBT транзистор - это довольно хитроумный прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного.
Данный биполярный транзистор MJD3055G предназначен для усилителей общего назначения и низкоскоростных коммутационных систем.
Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).