Транзистор является одним из самых распространенных элемнтов в современной радиоэлектронике. Транзисторы позволяет управлять большими токами посредством маленьких.
Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
TIP50G, Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 10 МГц, 40 Вт, 1 А, 10 hFE
IRFP064N - Мощный N-канальный MOSFET транзистор 55В,
IRLS3036-7P MOSFET, N-канал, 60 V, 16 V, 300 A, D2PAK
IGBT транзистор - это довольно хитроумный прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного.
IGBT транзистор - трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
Высокочастотные транзисторы – биполярные транзисторы, предназначенные для работы в диапазонах высоких и сверхвысоких частот (от единиц мегагерц до десятков гигагерц). В схемах, работающих на таких частотах, к комплектующим предъявляются особые требования по точности параметров и величине паразитной ёмкости.