> Электронные компоненты>Транзисторы>IGBT транзисторы

Фильтр

Включены фильтры:
    Наличие
    Тип продукции
    Структура транзистора
    Наличие встроенного диода
    Тип корпуса
    Тип подключения
    Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В
    Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В
    Напряжение насыщения при номинальном токе, В
    Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А
    Рассеиваемая мощность, Вт
    Рабочая температура, °C

    IGBT транзисторы

    Скидки

    на странице
    Показ 49 - 59 из 59 товаров
    • 750 тг

      Транзистор - радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный небольшим входным сигналом управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов.

      750 тг
      В корзину
      В наличии
    • 46 600 тг

      Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 75A Товар по предзаказу. Срок поставки 3-5 недель

      46 600 тг
      В корзину
      В наличии
    • 1 740 тг

      G75H603 IGBT транзистор 600 V, 140 A, TO-247. Аналог IGW75N60H3

      1 740 тг
      В корзину
      В наличии
    • 65 600 тг

      IGBT транзистор - это довольно хитроумный прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного.

      65 600 тг
      В корзину
      В наличии
    • 1 000 тг

      G40N60UFD, SGH40N60UFD - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

      1 000 тг
      В корзину
      Нет в наличии
    • 1 480 тг

      GT25Q101 - Биполярный транзистор с изолированным затвором 

      1 480 тг
      В корзину
      Нет в наличии
    • 2 010 тг

      STGD18N40LZ биполярный транзистор с изолированным затвором. Транзистор имеет защиту на канале затвор-эмиттер. 

      2 010 тг
      В корзину
      Нет в наличии
    • 830 тг

      IRG4BC20KD-S - IGBT Транзистор с N каналом

      830 тг
      В корзину
      Нет в наличии
    • 41 230 тг

      IGBT-модули – силовые устройства, в основе которых лежат IGBT-транзисторы. Данные модули широко используются в преобразовательной технике. Срок поставки 35-45 дней.

      41 230 тг
      В корзину
      Предзаказ
    • 87 180 тг

      Серия модулей SEMITOP® IGBT от Semikron, включающих два последовательно соединенных (полумостовых) устройства IGBT. Модули доступны с широким диапазоном номинальных значений напряжения и тока и подходят для различных приложений переключения мощности, таких как инверторные двигатели переменного тока и источники бесперебойного питания.

      87 180 тг
      В корзину
      Предзаказ
    • 73 490 тг
      Восстановлен

      IGBT транзистор - это довольно хитроумный прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного.

      73 490 тг
      В корзину
      Нет в наличии
    Показ 49 - 59 из 59 товаров