Фильтр
Загрузка ...
Наличие 3D принтера открывает двери...
FGH60N60SFD - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
GT25Q101 - Биполярный транзистор с изолированным затвором
IRG4PC40S IGBT, N-канал, 600В, 60А
STGD18N40LZ биполярный транзистор с изолированным затвором. Транзистор имеет защиту на канале затвор-эмиттер.
G75H603 IGBT транзистор 600 V, 140 A, TO-247. Аналог IGW75N60H3
IRG4BC20KD-S - IGBT Транзистор с N каналом
Используя технологию NPT, IGBT транзистор ON Semiconductor обеспечивает низкие потери проводимости и переключения. Серия AN предлагает решение для использования в области управления двигателем, преобразований общего назначения и для источников бесперебойного питания (ИБП).
IGBT-модули – силовые устройства, в основе которых лежат IGBT-транзисторы. Данные модули широко используются в преобразовательной технике. Срок поставки 35-45 дней.
Серия модулей SEMITOP® IGBT от Semikron, включающих два последовательно соединенных (полумостовых) устройства IGBT. Модули доступны с широким диапазоном номинальных значений напряжения и тока и подходят для различных приложений переключения мощности, таких как инверторные двигатели переменного тока и источники бесперебойного питания.
IGBT транзистор - это довольно хитроумный прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного.