> Электронные компоненты>Транзисторы>IGBT транзисторы

Фильтр

Включены фильтры:
    Наличие
    Тип продукции
    Структура транзистора
    Наличие встроенного диода
    Тип корпуса
    Тип подключения
    Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В
    Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В
    Напряжение насыщения при номинальном токе, В
    Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А
    Рассеиваемая мощность, Вт
    Рабочая температура, °C

    IGBT транзисторы

    Скидки

    на странице
    Показ 37 - 48 из 57 товаров
    • 1 200 тг

      IGBT Транзистор G4PH50KD (45A 1200V),  N- канала, в корпусе TO-247AC

      1 200 тг
      В корзину
      В наличии
    • 1 745 тг

      IRGP4066D, IGBT 600В 140А TO247AD

      1 745 тг
      В корзину
      В наличии
    • 1 050 тг

      IGBT транзистор KDG20N120H обеспечивает низкие потери проводимости и переключения, а так же обладает хорошей энергоэффективностью. Имеет решения для использования в области управления индукционных нагревателей, преобразований общего назначения и для источников бесперебойного питания (ИБП).

      1 050 тг
      В корзину
      В наличии
    • 980 тг

      Биполярный транзистор с изолированным затвором - это трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

      980 тг
      В корзину
      В наличии
    • 1 300 тг

      G40N60UFD, SGH40N60UFD - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

      1 300 тг
      В корзину
      В наличии
    • 1 340 тг

      NGTG50N60FL, БТИЗ транзистор, 100 А, 1.65 В, 223 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов) NGTG50N60FL - аналог NGTG50N60FLWG

      1 340 тг
      В корзину
      В наличии
    • 1 180 тг

      IGBT Транзистор IRGP4086  (70A 300V),  N- канала, в корпусе TO-247AC

      1 180 тг
      В корзину
      В наличии
    • 3 500 тг

      Используя технологию NPT, IGBT транзистор ON Semiconductor обеспечивает низкие потери проводимости и переключения. Серия AN предлагает решение для использования в области управления двигателем, преобразований общего назначения и для источников бесперебойного питания (ИБП).

      3 500 тг
      В корзину
      В наличии
    • 1 000 тг

      GT30J324 - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

      1 000 тг
      В корзину
      В наличии
    • 45 590 тг

      F4-50R12KS4 - IGBT. N-Channel, 1200В, 50А, MODULE

      45 590 тг
      В корзину
      В наличии
    • 1 880 тг

      Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).

      1 880 тг
      В корзину
      В наличии
    • 19 390 тг

      IGBT транзистор - трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

      19 390 тг
      В корзину
      В наличии
    Показ 37 - 48 из 57 товаров