Фильтр
Загрузка ...
ВЧ-разъем F-типа (папа) под обжим...
GT30F124 - Силовой IGBT транзистор, N-Канал, 300V, 30A, TO-220FP
GT30J324 - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
Используя технологию NPT, IGBT транзистор ON Semiconductor обеспечивает низкие потери проводимости и переключения. Серия AN предлагает решение для использования в области управления двигателем, преобразований общего назначения и для источников бесперебойного питания (ИБП).
RJH60F7DPQ - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
IGBT Транзистор G4PH50KD (45A 1200V), N- канала, в корпусе TO-247AC
NGTG50N60FL, БТИЗ транзистор, 100 А, 1.65 В, 223 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов) NGTG50N60FL - аналог NGTG50N60FLWG
Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
Транзистор 11N120CND - IGBT, 1200В, 43А, 298Вт в корпусе TO-247
ISL9V3040S3S – предназначен для высокоскоростных импульсных приложений, таких как сварочные инверторы, преобразователи и моторные драйверы.