> Электронные компоненты>Транзисторы>IGBT транзисторы

Фильтр

Включены фильтры:
    Наличие
    Тип продукции
    Структура транзистора
    Наличие встроенного диода
    Тип корпуса
    Тип подключения
    Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В
    Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В
    Напряжение насыщения при номинальном токе, В
    Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А
    Рассеиваемая мощность, Вт
    Рабочая температура, °C

    IGBT транзисторы

    Скидки

    на странице
    Показ 25 - 36 из 59 товаров
    • 900 тг

      GT30J324 - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

      900 тг
      В корзину
      В наличии
    • 1 205 тг

      IRG4PC40S IGBT, N-канал, 600В, 60А

      1 205 тг
      В корзину
      В наличии
    • 350 тг

      Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).

      350 тг
      В корзину
      В наличии
    • 760 тг

      SGW25N120 IGBT транзистор 1200В, 46А,0 TO247

      760 тг
      В корзину
      В наличии
    • 1 280 тг

      IGBT 650V 80A 238W TO-3PN

      1 280 тг
      В корзину
      В наличии
    • 2 195 тг

      FGH40N60SMD - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

      2 195 тг
      В корзину
      В наличии
    • 1 705 тг

      RJH60F5DPQ - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

      1 705 тг
      В корзину
      В наличии
    • 850 тг

      Транзистор 11N120CND - IGBT, 1200В, 43А, 298Вт в корпусе TO-247

      850 тг
      В корзину
      В наличии
    • 4 200 тг

      Используя технологию NPT, IGBT транзистор ON Semiconductor обеспечивает низкие потери проводимости и переключения. Серия AN предлагает решение для использования в области управления двигателем, преобразований общего назначения и для источников бесперебойного питания (ИБП).

      4 200 тг
      В корзину
      В наличии
    • 1 340 тг

      NGTG50N60FL, БТИЗ транзистор, 100 А, 1.65 В, 223 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов) NGTG50N60FL - аналог NGTG50N60FLWG

      1 340 тг
      В корзину
      В наличии
    • 1 050 тг

      IGBT транзистор KDG20N120H обеспечивает низкие потери проводимости и переключения, а так же обладает хорошей энергоэффективностью. Имеет решения для использования в области управления индукционных нагревателей, преобразований общего назначения и для источников бесперебойного питания (ИБП).

      1 050 тг
      В корзину
      В наличии
    • 1 180 тг

      IGBT Транзистор IRGP4086  (70A 300V),  N- канала, в корпусе TO-247AC

      1 180 тг
      В корзину
      В наличии
    Показ 25 - 36 из 59 товаров