IGBT транзисторы

Просмотр:
Сетка
Список

Показ 25 - 36 из 60 товаров

1 010 тг
GT30J341, Биполярный транзистор IGBT,...
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
1 010 тг
В корзину Еще
В наличии
230 тг
GT30F124 IGBT транзистор. 300V, 30A, TO-220FP
GT30F124 - Силовой IGBT транзистор, N-Канал, 300V, 30A, TO-220FP
230 тг
В корзину Еще
В наличии
550 тг
ISL9V3040S3S, IGBT-Транзистор, N-канал,...
ISL9V3040S3S – предназначен для высокоскоростных импульсных приложений, таких как сварочные инверторы, преобразователи и моторные драйверы.
550 тг
В корзину Еще
В наличии
900 тг
GT30J324 Транзистор
GT30J324 - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
900 тг
В корзину Еще
В наличии
2 850 тг
RJH60F7DPQ Транзистор
RJH60F7DPQ - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
2 850 тг
В корзину Еще
В наличии
1 000 тг
G4PH50KD, IGBT Транзистор (45A 1200V)
IGBT Транзистор G4PH50KD (45A 1200V), N- канала, в корпусе TO-247AC
1 000 тг
В корзину Еще
В наличии
390 тг
GT30F126 IGBT транзистор TO220F
GT30F126 IGBT транзистор, 330В, 30А, TO220F
390 тг
В корзину Еще
В наличии
1 280 тг
Транзистор FGA6540WDF, IGBT 650В 40А
IGBT 650V 80A 238W TO-3PN
1 280 тг
В корзину Еще
В наличии
1 100 тг
NGTG50N60FL IGBT транзистор 100 А, 1.65 В...
NGTG50N60FL, БТИЗ транзистор, 100 А, 1.65 В, 223 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов) NGTG50N60FL - аналог NGTG50N60FLWG
1 100 тг
В корзину Еще
В наличии
1 900 тг
FGH40N60SMD, IGBT 600В 80А
FGH40N60SMD - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
1 900 тг
В корзину Еще
В наличии
850 тг
11N120CND, Транзистор TO-247
Транзистор 11N120CND - IGBT, 1200В, 43А, 298Вт в корпусе TO-247
850 тг
В корзину Еще
В наличии
1 060 тг
BTS2140-1B Транзистор D2PAK
BTS2140-1B - транзистор ЭБУ автомобилей.
1 060 тг
В корзину Еще
В наличии