> Электронные компоненты>Транзисторы>IGBT транзисторы

Фильтр

Включены фильтры:
    Наличие
    Тип продукции
    Структура транзистора
    Наличие встроенного диода
    Тип корпуса
    Тип подключения
    Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В
    Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В
    Напряжение насыщения при номинальном токе, В
    Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А
    Рассеиваемая мощность, Вт
    Рабочая температура, °C

    IGBT транзисторы

    на странице
    Показ 25 - 36 из 59 товаров
    • 900 тг

      GT30J324 - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

      900 тг
      В корзину
      В наличии
    • 2 850 тг

      RJH60F7DPQ - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

      2 850 тг
      В корзину
      В наличии
    • 350 тг

      Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).

      350 тг
      В корзину
      В наличии
    • 1 000 тг

      IGBT Транзистор G4PH50KD (45A 1200V),  N- канала, в корпусе TO-247AC

      1 000 тг
      В корзину
      В наличии
    • 1 280 тг

      IGBT 650V 80A 238W TO-3PN

      1 280 тг
      В корзину
      В наличии
    • 1 010 тг

      Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).

      1 010 тг
      В корзину
      В наличии
    • 850 тг

      Транзистор 11N120CND - IGBT, 1200В, 43А, 298Вт в корпусе TO-247

      850 тг
      В корзину
      В наличии
    • 1 705 тг

      RJH60F5DPQ - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

      1 705 тг
      В корзину
      В наличии
    • 1 150 тг

      Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).

      1 150 тг
      В корзину
      В наличии
    • 1 060 тг

      BTS2140-1B - транзистор ЭБУ автомобилей.

      1 060 тг
      В корзину
      В наличии
    • 940 тг

      Биполярный транзистор с изолированным затвором - это трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

      940 тг
      В корзину
      В наличии
    • 2 195 тг

      FGH40N60SMD - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

      2 195 тг
      В корзину
      В наличии
    Показ 25 - 36 из 59 товаров