> Электронные компоненты>Транзисторы>IGBT транзисторы

Фильтр

Включены фильтры:
    Наличие
    Тип продукции
    Структура транзистора
    Наличие встроенного диода
    Тип корпуса
    Тип подключения
    Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В
    Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В
    Напряжение насыщения при номинальном токе, В
    Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А
    Рассеиваемая мощность, Вт
    Рабочая температура, °C

    IGBT транзисторы

    Скидки

    на странице
    Показ 25 - 36 из 59 товаров
    • 900 ₸

      GT30J324 - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

      900 ₸
      В корзину
      В наличии
    • 2 850 ₸

      RJH60F7DPQ - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

      2 850 ₸
      В корзину
      В наличии
    • 390 ₸

      GT30F126 IGBT транзистор, 330В, 30А, TO220F 

      390 ₸
      В корзину
      В наличии
    • 2 090 ₸

      Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

      2 090 ₸
      В корзину
      В наличии
    • 850 ₸

      Транзистор 11N120CND - IGBT, 1200В, 43А, 298Вт в корпусе TO-247

      850 ₸
      В корзину
      В наличии
    • 1 000 ₸

      IGBT Транзистор G4PH50KD (45A 1200V),  N- канала, в корпусе TO-247AC

      1 000 ₸
      В корзину
      В наличии
    • 1 750 ₸

      FGH40N60SMD - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

      1 750 ₸
      В корзину
      В наличии
    • 890 ₸

      HGTP12N60A4D - IGBT транзистор. N- канал TO220AB

      890 ₸
      В корзину
      Нет в наличии
    • 1 100 ₸

      NGTG50N60FL, БТИЗ транзистор, 100 А, 1.65 В, 223 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов) NGTG50N60FL - аналог NGTG50N60FLWG

      1 100 ₸
      В корзину
      В наличии
    • 190 ₸

      STGB10NB37LZ, IGBT 425В 20А D2PAK

      190 ₸
      В корзину
      В наличии
    • 1 280 ₸

      IGBT 650V 80A 238W TO-3PN

      1 280 ₸
      В корзину
      В наличии
    • 1 050 ₸

      IGBT транзистор KDG20N120H обеспечивает низкие потери проводимости и переключения, а так же обладает хорошей энергоэффективностью. Имеет решения для использования в области управления индукционных нагревателей, преобразований общего назначения и для источников бесперебойного питания (ИБП).

      1 050 ₸
      В корзину
      В наличии
    Показ 25 - 36 из 59 товаров