Транзистор является одним из самых распространенных элемнтов в современной радиоэлектронике. Транзисторы позволяет управлять большими токами посредством маленьких.
КТ819Г, Биполярный транзистор, NPN, 100В, 10А, 60Вт, 3МГц (КТ-28 / TO-220)
HYG013N03LS1C2 — это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, предназначенный для работы в низковольтных приложениях с высокими токами.
Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
КТ816Б (BD234), Транзистор PNP, низкочастотный, большой мощности, TO-126 (КТ-27)
IRF730, Транзистор, N-канал 400В 5.5А [TO-220AB]
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
Транзистор FQA38N30 - в корпусе TO3P MOSFET 290 ВТ, 38,4А, 300В
MJ802 Транзистор, NPN 100В 30А [TO-3]