Добавлено в корзину
В вашей корзине 0 товара (ов). В вашей корзине 1 товар.
Транзисторы
- 3D Принтеры и материалы
- Датчики
- Двигатели
- Игрушки
- Инструменты и материалы
- Измерительные приборы
- Изоляторы
- Инструменты
- Клапаны
- Клеящие материалы
- Корпуса и крепления
- Магниты
- Макетные и монтажные платы
- Маркеры
- Оборудование для пайки
- Органайзеры, ящики
- Провода для макетных плат
- Радиаторы
- Расходные материалы
- Создание печатных плат
- Тросы и канаты
- Углеволокно
- Фрезы и сверла
- Фурнитура для сувениров
- Шланги
- Книги
- Механика
- Модули для 3D принтеров
- Обучающие наборы
- Осветители и индикаторы
- Отладочные платы
- Пневматика
- Поля для соревнований
- Провода, разъемы и адаптеры
- Прочая электроника и аксессуары
- Радиоуправляемые модели
- Реле, контакторы
- Советские радиодетали
- Сувенирная продукция
- Услуги
- ЧПУ станки
- Электрика
- Электронные блоки и узлы
- Электронные компоненты
- Элементы питания
185 тг(MJE13007), (ST13007) Транзистор NPN 400В...
Транзистор NPN структуры 400В 8А 80Вт в корпусе TO220AB
185 тгВ наличии
520 тг
415 тг2SC4706 Биполярный NPN транзистор 900В,...
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
415 тгВ наличии![IRFP250NPBF, Транзистор, N-канал 200В 30А [TO-247AC]](https://media1.radiomart.kz/26058-product_list/irfp250npbf-tranzistor-n-kanal-200v-30a-to-247ac-.jpg "IRFP250NPBF, Транзистор, N-канал 200В 30А [TO-247AC]")
580 тгIRFP250NPBF, Транзистор, N-канал 200В 30А...
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
580 тгВ наличии
530 тгD45H11G, Биполярный PNP транзистор 80В,...
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
530 тгВ наличии
380 тгIRFZ48N MOSFET
IRFZ48N - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
380 тгВ наличии
750 тгКТ819Г, Биполярный транзистор, NPN, 100В,...
КТ819Г, Биполярный транзистор, NPN, 100В, 10А, 60Вт, 3МГц (КТ-28 / TO-220)
750 тгВ наличии
680 тгТранзистор STP9NK65ZFP, МОП-структура,...
МОП-структура — полупроводниковая структура, применяемая при производстве микросхем и дискретных полевых транзисторов. Полупроводниковые приборы на основе этой структуры называют МОП-транзисторами, МДП-транзисторами или транзисторами с изолированным затвором.
680 тгВ наличии
120 тгНовыеHYG013N03LS1C2, Полевой транзистор, N-канал
HYG013N03LS1C2 — это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, предназначенный для работы в низковольтных приложениях с высокими токами.
120 тгВ наличии
140 тгКТ816Б (BD234), Транзистор PNP,...
КТ816Б (BD234), Транзистор PNP, низкочастотный, большой мощности, TO-126 (КТ-27)
140 тгВ наличии![IRF730 Транзистор, N-канал [TO-220AB]](https://media1.radiomart.kz/6800-product_list/irf730-tranzistor-n-kanal-to-220ab-.jpg "IRF730 Транзистор, N-канал [TO-220AB]")
550 тгIRF730 Транзистор, N-канал [TO-220AB]
IRF730, Транзистор, N-канал 400В 5.5А [TO-220AB]
550 тгВ наличии
450 тг