Транзистор является одним из самых распространенных элемнтов в современной радиоэлектронике. Транзисторы позволяет управлять большими токами посредством маленьких.
Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балластах), схемах управления моторами и работы релейных модулей.
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, TO-247
IGBT Транзистор G4PH50KD (45A 1200V), N- канала, в корпусе TO-247AC
STP5NK100Z, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 3.5 А, 1 кВ, 3.7 Ом, 10 В, 3.75 В
NEC 2SK3479 MOSFET Транзистор, N-канал, 100V. 83A. TO-263
60t03gh Транзистор MOSFET N-Канал 30В, 45A, TO-252