Уважаемые покупатели!
С 1 января 2026 года филиал в г. Алматы закрывается.
Важная информация:
С 20 декабря самовывоз для новых заказов из офиса в Алматы будет недоступен. Оформить заказ с доставкой до двери можно на сайте.
Готовые заказы просим забрать до 25 декабря.
Приносим извинения за доставленные неудобства.
Транзистор является одним из самых распространенных элемнтов в современной радиоэлектронике. Транзисторы позволяет управлять большими токами посредством маленьких.
IXFH26N60Q, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 26 А, 600 В, 250 мОм, 10 В, 4.5 В
IGBT транзистор KDG20N120H обеспечивает низкие потери проводимости и переключения, а так же обладает хорошей энергоэффективностью. Имеет решения для использования в области управления индукционных нагревателей, преобразований общего назначения и для источников бесперебойного питания (ИБП).
PSMN7R0-60YS представляет собой N-канальный MOSFET стандартного уровня с передовой технологией TrenchMOS, обеспечивающей низкое RDS (ON) и низкий заряд затвора. Он спроектирован и пригоден для использования в широком диапазоне преобразователей постоянного тока, защиты литий-ионных аккумуляторов, коммутации нагрузки, источников питания сервера и бытового...
Полевыми транзисторами называют активные полупроводниковые приборы, в которых выходным током управляют с помощью электрического поля (в биполярных транзисторах выходной ток управляется входным током). Полевые транзисторы называют также униполярными, так как в процессе протекания электрического тока участвует только один вид носителей.
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
Биполярный высокочастотный тразнистор с npn переходом BD876.